送交者: 大布苏 于 June 03, 2002 05:03:36:
回答: 香桔兄----这是谁。 由 小兵 于 June 03, 2002 00:58:33:
先解释一下昨天我的笑，没有针对你问题的意思，是想说你那样钉是钉卯是卯的双界
面问题没给我留多少蒙混过关的空子：)。希望没造成很多误会。我看你的问题一点
儿也不外行，有空聊聊在做什么好吧？另外你提到的学英语同班，能再给一点提示
吗？当年对女生我敢偷盯着看的机会实在有限，这方面宾宾小子多尽了不少便宜：
))。
前面我把ANDREW ZANGWILL的姓拼错了，我提到的那本书是“Physics at Surfaces”，
内容可能泛泛了一些，它是我学过的课本。
我去看了一下从1991年以来的有关“AG AND RU AND SURFACE”(这是所用的检索语
句，数据库是ISI)。下面把我看到的大概唠唠。
直接针对你的问题(为简单我略调了MICA 到RU那一步，假设你更关心的是上面的金
属界面)的解是Stevens 和Hwang 在1995年发的一篇PRL [1]， 又见上图。结构不算
是简单的：))。基本上是规则分布的DISLOCATIONS 在一个MONOLAYER长满之前就开
始了，结构是相当有序的(见图(b))。到一个MONOLAYER时有个‘相变’(我看着象)，
表面分成FCC 和HCP部份(见图(a))，这就答了你的问：4和6都有，中间是种DISLOCATION区
(我猜跟AU(111)表面一种常见的‘脊梁’重构类似)。这个组去年把这方面的工作进
一步总结了一下[2]，好象挺有意思。
最后我想提醒一句关于这类结果可靠性。如果你关心的问题是用这样的结构于某种
实用目的，那这些结果是马上可以援引利用的；如果你关心的是就此过程的纯从物
理或化学来说结果应该是怎样的，那我还有一点要说。在绝大多数的所谓超高真空
样品制备条件下，一般仍有两种残余气体(H2 和CO)有可能会影响这种晶体生长过程；
故前述所观察到的现像一般还不能排除这类影响的可能性--亦即未必是该生长本征
性质。把那两种残余气体控制在可接受范围现如今是做得到的(我没试过：))--前者
据说MIT一女教授拼了三年没出文章后做到过，后者几年前德国人报道过：观察结果
推翻了许多理论：))。
参考文献
[1] J.L. Stevens and R.Q. Hwang, Phys. Rev. Lett. 74, 2078(1995).
[2] G.E.Thayer, et al., Phys. Rev. Lett. 86, 660(2001).